N+P FET

Tранзистор AO4612 SO-8

Код: AO4612 SO-8

MOS-N+P-FET 60V 4.5A +/-60V , ID=+/-3.2A RDS(ON) - 56mΩ (VGS=10V) < 105mΩ (VGS = -10V) USED IN VIT710105 REV:5;

Транзистор AF4502C SO-8

Код: AF4502C SO-8

MOS-N+P-FET Vdss=+/-30V Id=+10/-8.5A Rds(on)=20/30mR 2.1W ALSO:IRF7389;FDS8958;

Транзистор AO4600 SO-8

Код: AO4600 SO-8

MOS-N+P-FET Vdss=+/-30V Id=+6.9/-5A Rds(on)=27/49mR 2W; SAME AS: AM4512C;Dual N-and P channel,MosFET,30V,7A,2.1W,<20-46mom(6A),8-SOP,Anpec 4512C;

Транзистор AO4604 SO-8

Код: AO4604 GT4604 SO-8

MOS-N+P-FET Vdss=+/-30V Id=+6.9/-5A Rds(on)=30/28mR 2W ALSOAF4502C;IRF7389;FDS8958A;

Транзистор AO4606 SO-8

Код: AO4606 GT4606 SO-8

MOS-N+P-FET Vdss=+/-30V Id=+6/-6.5A Rds(on)=30/28mR 2W ALSOAF4502C;IRF7389;FDS8958A;

Транзистор AO4607 SOT-8

Код: AO4607 SOT-8

MOS-N+P-FET Vdss=+/-30V Id=+6.9/-6A Rds(on)=28/35mR 2W WITH DUAL SCHOTTKY DIODE;

Транзистор AO4614 SO-8

Код: AO4614 SO-8

MOS-N+P-FET Vdss=+/-40V Id=+6/-5A Rds(on)=35/49mR 2W;AD4614 SO-8;

Транзистор AO4616 SO-8

Код: AO4616 SO-8

MOS-N+P-FET Vdss=+/-30V Id=+8/-7A Rds(on)=16/28mR 2W;; ;

Транзистор AO4620 SO-8

Код: AO4620 SO-8

MOS-N+P-FET Vdss=+/-30V Id=+7.2/-5.3A Rds(on)=30/28mR 2W ALSOAF4502C;IRF7389;FDS8958A;

Транзистор AO4621 SO-8

Код: AO4621 SO-8

MOS-N+P-FET Vdss=+/-40V Id=+6/-5A Rds(on)=31/45mR 2W;

Транзистор AOD607 TO-252-5

Код: AOD607 TO-252-5

MOS-N+P-FET Vdss=30/-30V Id=12/-12A Rds(on)=37mR ;

Транзистор AOP605 DIP-8

Код: AOP605 DIP-8

MOS-N+P-FET Vdss=+/-30V Id=+7.5/-6.6A Rds(on)=28/35mR 2.5W;

По заявка

Транзистор AP4501GM SO-8

Код: AP4501GM SO-8

MOS-N+P-FET Vdss=+/-30V Id=+6.9/-5A Rds(on)=27/49mR 2W;=AO4600=AM4512C Dual N-and P channel,MosFET,30V,7A,2.0W,<20-46mom(6A),8-MDIP/SOP,Anpec 4501GM Transistor AM4501GM Anpec Housing Type: SO8 Manufacturer: AMD Connection type: SMD Max. Working Voltage: 30 V Capacity: 2 W Max. Temperature: 150 ;