< 200 V PFET Transistors
Транзистор 2P913A/KP913A KT-192
Код: 2P913A/KP913A KT-192
MOS-P-FET Vdss=-65V Id=-14A 100W
ALSO:KT920;
On request
Транзистор 2SJ111 TO-92
Код: 2SJ111 TO-92
MOS-P-FET Vdss=35V Idss=0.05A, Up<2V (Rds): 30 Ohm, 0.4W,SAMEAS: 2SJ72
;
Транзистор 2SJ174
Код: 2SJ174
MOS-P-FET,60V,20A,80W,<0.15om(15A),smd,TO-220 ALSO:RFP15P05
;
Транзистор 2SJ176A TO-92
Код: 2SJ176A TO-92
MOS-P-FET Vdss=-60V Id=-15A 30W ;
ALSO:2SJ221, 2SJ290, 2SJ541, 2SJ542;
Транзистор 2SJ177 TO-220
Код: 2SJ177 TO-220F
MOS-P-FET Vdss=-60V Id=-20A Rds(on)=0,085R 35W WITH Z-DIOD;
Транзистор 2SJ182 TO-252DPAK
Код: 2SJ182 TO-252DPAK
MOS-P-FET Vdss=-60V Idss=-3A Rds(on)=0.4R <0,4Ohm(2A) 20W;=2SJ235;
On request
Транзистор 2SJ216 TO-3PF
Код: 2SJ216 TO-3PF
MOS-P-FET Vdss=-60V Id=-35A Rds(on)=0,06R 50W WITH Z-DIODE;
ORIGINAL;
Транзистор 2SJ216 TO-3PF
Код: 2SJ216 TO-3PF
MOS-P-FET Vdss=-60V Id=-35A Rds(on)=0,06R 50W WITH Z-DIODE;
Транзистор 2SJ239 TO-251
Код: 2SJ239 TO-251
MOS-P-FET Vdss=-60V Idss=-5A Rds(on)=0.25R <0,4Ohm(2A) 20W;Package: SC64
Rise Time (tr): 120 nS Drain-Source Capacitance (Cd): 290 pF =2SJ235;
Транзистор 2SJ74BL TO-92
Код: 2SJ74BL TO-92
MOS-P-FET Vdss=40V Idss=0.1A Rds(on)= 0.4W,COMP:2SK170 TO-92;
Транзистор 2SJ74GR TO-92
Код: 2SJ74GR TO-92
MOS-P-FET Vdss=40V Idss=0.1A Rds(on)= 0.4W,COMP:2SK170 TO-92;
Транзистор AO4421 SO-8
Код: AO4421 SO-8
MOS-P-FET Vdss=-60V Id=-6.2A Rds(on)<40mR 3.1W;
Транзистор AOD407 TO-252DPAK
Код: AOD407 TO-252DPAK
MOS-P-FET Vdss=-60V Id=-12A Rds(on)=115mR ; P4404EPG;mdt2955v;ntd2955v;
Транзистор AOD409 TO-252DPAK
Код: AOD409 TO-252DPAK
MOS-P-FET Vdss=-60V Id=-26A Rds(on)=40mR;AO3401;
On request
Транзистор AON4421
Код: AON4421
MOS-P-FET; unipolar -30V -6A 1.6W; DFN8
Поляризация- униполарен
Напрежение дрейн - сорс - -30V
Ток на дрейна -6A
Разсейвана мощност - 1.6W
Кутия DFN8
Напрежение гейт-сорс ±20V
Съпротивление във включено състояние 26mΩ
Монт-SMD
Заряд на гейта -17.6nС;
Транзистор AP9120GJ TO-251
Код: AP9120GJ TO-251
MOS-P-FET; униполарен; -200V; -8A; 96W; TO-251;
Транзистор AP9567GH TO-252
Код: AP9567GH TO-252
MOS-P-FET-enhan.,40V,22A,0.5om,34.7W(25°C),TO-252,9567GH;
Транзистор AP9575AGP TO-252
Код: AP9575AGP TO-252
MOS-P-FET Vdss=-60V Id=-17A Rds(on)=70mR 36W;
On request
Транзистор AP9575GP TO-220
Код: AP9575GP TO-220
MOS-P-FET Vdss=-60V Id=-16A Rds(on)=70mR 31.2W;
Транзистор BS208 TO-92
Код: BS208 TO-92
MOS-P-FET,,200V,0.2A,0.83W,<14om,5/20nS,TO-92;
Транзистор BS250 TO-92
Код: BS250 TO-92
MOS-P-FET Vdss=-60V Id=-0.18A Rds(on)=14R 0.83W ;
ALSO:BST100;
Транзистор BSP170P SOT-223
Код: BSP170P SOT-223
MOS-P-FET Vdss=-60V Id=-1.9A Rds(on)=0.3R 1.8W;IRFL9014;
BSP318S H6327 -Automotive Diesel ECU TR;
Транзистор BSS84K SOT-23
Код: BSS84K SOT-23
MOS-P-FET Vdss=60V Idss=0.13A Rds(on)= 7R
униполарен; -60V; -0,13A; Idm: -0,58A; 0,225W
;
Транзистор FDD5614P TO-252DPAK
Код: FDD5614P TO-252DPAK
MOS-P-FET Vdss=-60V Id=-15A Rds(on)=100mR 42W;