В момента този продукт не е в наличност. След като завършите
своята заявка, ще се свържем с вас за уточняване на начина и срока за доставка
на избраната стока.
Сигурно плащане чрез:
Наложен платеж
Доставка до всяка точка на света:
Статус
По заявка
Описание
IGBT RJP30H2 TO-263-3L 360V 35A 250A PEAK 60W
N Channel IGBT 360V 35A, 1. Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series)
2. Low collector to emitter saturation V: VCE(sat) = 1.4 V typ
3. High speed switching: tf = 100 ns typ, tf = 180 ns typ
4. Low leak current: ICES = 1 A max,