Цена: 2,26 € (4,41 лв.) с ДДС

14-ДНЕВНО БЕЗПЛАТНО И ЛЕСНО ВРЪЩАНЕ

Ако получите днес, последният ден за връщане на този артикул ще бъде 18 юни

Сигурно плащане чрез:

Наложен платеж Pay with Visa Pay with Mastercard Pay with bank transfer Pay with bank transfer

Доставка до всяка точка на света:

Econt BG до ОФИС DHL International Economy Shipping SPEEDY BG до адрес GREECE only EU Shipments - Geniki Taxydromiki International Shipping Economy КСП АВТОМАТ- Младост 4 (предплатени поръчки)
Статус
В наличност
Магазин: София, Младост 4
Налично количество
10+
Състояние
NEW / НОВ
Описание
MOS-N-FET Vdss=100V Id=120A Rds(on)=6.8mR 237W ,
Код на продукта
HY3210P TO-220
Баркод
060665
Марка / Производител
HUAYI
Документи

АНАЛОГИЧНИ ПРОДУКТИ

FDB3632 TO-263 D2 PACK
FDB3632 TO-263 D2 PACK
Код: FDB3632 TO-263 D2 PACK
MOS- N-FET 100V 80A 310W;same as: SUB85N10-10 HY3210;
По заявка
HY3008P  TO-220
Транзистор HY3008P TO-220
Код: HY3008P TO-220
MOS-N-FET Vdss=80V Id=100A RDS(ON)=6.6mΩ (typ.) @ VGS=10V 200W;= HY3210P;
HY3210P TO-220
Транзистор HY3210P TO-220
Код: HY3210P TO-220
MOS-N-FET Vdss=100V Id=120A Rds(on)=6.8mR 237W ;